张建武、侯纪伟、王中平、张增明、丁泽军
一种合成单斜相纳米二氧化钒粉体的方法
中国发明专利，公布号：CN 102649583 A (2012.08.29).
王中平、张增明、仓桥光纪、铃木拓、丁泽军、山内泰
硅表面直接生长十八烷基硅烷小分子自组装单层抗蚀剂的亚稳态氦原子光刻技术
《电子显微学报》，2010年29卷123-127页.
程思、王中平、张增明、丁泽军
CeO2:Eu3+反蛋白石的制备与性质研究
《低温物理学报》, 2010年32卷第6期426-430页.
唐旭东、张增明、赵智、王中平、丁泽军
高压诱致的反式联苯乙烯酮结构相变与化学反应
《高压物理学报》，2009年23卷第6期401-406页.
赵智、丁泽军、王中平、唐旭东、张增明
Rhodamine 101的高压荧光特性
《高压物理学报》，2006年26卷6-10页.