科研方向

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高压下半导体材料的热电性能
压力对物质作用的基本效应是减少分子间或原子间的距离，从而引起物质组成结构（晶体结构、分子结构、原子排列方式）的变化，进而造成材料的能带结构、电子排布、电子轨道结构、电子态密度等性质的一系列变化。因此高压作为一种极端条件，有望被用来获得一些材料在常压下所没有的新性质、新效应,如新相的产生、新物质的合成、电子和离子新的有序态的形成等。
采用四柱双杠液压机在0-1GPa范围内研究半导体材料的热电性能随压力的变化。半导体材料的带隙一般在2eV以下。半导体的价带、导带随着压力的变化而移动，一般由于两者随压力的变化的移动不同，使得材料的带隙随压力的变化而发生变化。带隙的变化在宏观上表现为材料的电学性能、热学性能、光学性能等变化。在电学性能上面表现为材料的电导率和热电动势的变化。因此测定材料的电导率和热电动势随压力的变化结合热电理论可以估计材料的价带、导带、带隙随压力的变化。