科研方向

1、基于CD-SEM的纳米线宽测量方法的MC模拟研究

用蒙特卡洛(Monte Carlo)方法对SEM进行模拟,建立精确的物理模型,研究构件的几何参数(高度,边墙角等)以及入射电子束的束宽等因素对纳米级线宽测量的影响,并考虑表面粗糙度的影响,判断出多少误差是来自测量工具,有多少是来自于测量样本,找到一种精确、实用的线宽测定的算法。

2、XPS和AES的电子平均自由程(Inelastic Mean Free Path)、逸出深度(Escape Depth)、衰减长度( Attenuation Length)的关系研究